高温反偏
HTRB
器件在高温环境下（如发动机舱附近）长期承受最高工作电压
试验依据
分立器件：
AEC-Q101/MIL-STD-750/JESD22-A108C/JEP198/GJB548方法1005/GJB360方法108/GJB128A方法1031
模块：
IEC 60747-9:2007section 7.1.4.1(IGBT)
IEC 60747-8:2010 (MOSFET)
IEC 60747-2:2016 (diode)
试验目的
剔除芯片的钝化层结构或者是芯片的终端结构的缺陷(包括模块的不同材料的温度膨胀系数导致的芯片的钝化层缺陷)；剔除生产中或者封装材料里的有害的一些离子污染的缺陷。
检测设备及仪器
