电性能测试
评估芯片在各种应力条件下的寿命、稳定性和失效风险预测其在实际使用环境中的长期表现
电性能验证试验
分立器件静态测试_单点_常温
电流～200A 、电压～2000V
DIODE
Vrrm
IR
VF
MOSFET
V(BR)dss
Idss
Rdson
Vsd
Vgs(th)
Igss
IGBT
V(BR)ces
Ices
Vcesat
Vge(th)
Iges
VF
gfs
分立器件CV测试_单点_常温
100kHz～1MHz
MOSFET
Ciss
Coss
Crss
Rgint
IGBT
Cies
Coes
Cres
Rgint
分立器件动态参数测试_常温
电流～1000A 、电压～2000V、短路电流3000A
DIODE
trr
Qrr
Err
Irr
MOSFET
td(on)
tr
ton
E(on)
di/dt(on)
dv/dt(on)
td(off)
tf
toff
E(off)
di/dt(off)
dv/dt(off)
IGBT
td(on)
tr
ton
E(on)
di/dt(on)
dv/dt(on)
td(off)
tf
toff
E(off)
di/dt(off)
dv/dt(off)
功率模块静态测试_单点_常温
电流2～2000A 、电压200～3000V
DIODE
Vrrm
IR
VF
MOSFET
V(BR)dss
Idss
Rdson
Vsd
Vgs(th)
Igss
IGBT
V(BR)ces
Ices
Vcesat
Vge(th)
Iges
VF
gfs
功率模块动态参数测试_常温
电流20～2000A 、电压50～1500V 内置7组负载电感（20uH，50uH，100uH，200uH，500uH，1000uH，2000uH）
DIODE
trr
Qrr
Err
Irr
MOSFET
td(on
tr
ton
E(on)
di/dt(on)
dv/dt(on)
td(off)
tf
toff
E(off)
di/dt(off)
dv/dt(off)
IGBT
td(on)
tr
ton
E(on)
di/dt(on)
dv/dt(on)
td(off)
tf
toff
E(off)
di/dt(off)
dv/dt(off)
功率模块短路参数测试_常温
短路电流最大6000A
MOSFET
ISC
IGBT
ISC
热阻测试
热阻测试_数值_K系数(温度-电压关系)，电压参数如下：
DIODE
正向压降VF
MOSFET
源漏电压Vsd
IGBT
集射极电压VCE或栅射极电压VGE
测试设备
单管静态测试机台
单管动态测试机台
lemsys 模块测试机台