AEC-Q101/MIL-STD-750 Method 1037/GJB548方法
1006/GJB128A-97方法10372
在秒级的功率循环里,由于Ton和Toff的时间比较短,所以可以看到芯片的节温会上升比较快,但是Tc也就是外壳的温度上升比较缓慢,这样的冲击其实对于和芯片接触的地方相对来说会集中一些,也就是主要侧重于测试芯片bonding和芯片与下面基板焊接的可靠性。
AEC-Q101/MIL-STD-750 Method 1037/GJB548方法
1006/GJB128A-97方法10372
在秒级的功率循环里,由于Ton和Toff的时间比较短,所以可以看到芯片的节温会上升比较快,但是Tc也就是外壳的温度上升比较缓慢,这样的冲击其实对于和芯片接触的地方相对来说会集中一些,也就是主要侧重于测试芯片bonding和芯片与下面基板焊接的可靠性。