高温栅偏
HTGB
针对MOSFET/IGBT，模拟高温下栅极长期施加驱动电压
试验依据
分立器件：
AEC-Q101/MIL-STD-750/JESD22-A108C/JEP198/GJB548方法1005/GJB360方法108/GJB128A方法1031
模块：
IEC 60747-9:2007section 7.1.4.1(IGBT)
IEC 60747-8:2010 (MOSFET)
IEC 60747-2:2016 (diode)
试验目的
SiC的Vgs在偏压的条件下会随着时间的累加而漂移，因此HTGB可以模拟加速条件下的工作状态，用于芯片的可靠性验证和门极的可靠性监测。并且可以发现由于生产过程中导致的一些材料污染。
检测设备及仪器
